Esta memória PNY de 16GB DDR5 4800MHz é ideal para aumentar o desempenho do seu portátil. Proporciona maior velocidade e eficiência para as suas tarefas diárias e aplicações exigentes.

Destaques principais:
* 16GB de capacidade
* DDR5 para maior velocidade
* Velocidade de 4800MHz
* Formato SO-DIMM para portáteis
* Latência CAS 40

Memória PNY 16GB DDR5 4800MHz SO-DIMM

A memória PNY MN16GSD54800-BLK de 16GB DDR5 4800MHz SO-DIMM foi projetada para otimizar o desempenho de computadores portáteis. Esta memória de alta velocidade oferece uma atualização significativa em relação às gerações anteriores, permitindo que os utilizadores executem múltiplas aplicações, editem vídeos, e desfrutem de jogos sem problemas de lentidão.



A tecnologia DDR5 proporciona uma largura de banda maior e menor consumo de energia comparativamente com a DDR4. A sua velocidade de 4800MHz garante tempos de resposta rápidos e um desempenho geral do sistema mais ágil. O formato SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) é especificamente concebido para computadores portáteis, garantindo compatibilidade e fácil instalação.



A instalação desta memória é simples e direta. Basta desligar o computador, abrir o compartimento da memória, inserir o módulo no slot apropriado e ligar o computador novamente. O sistema operacional reconhecerá automaticamente a nova memória, permitindo que comece a usufruir dos seus benefícios imediatamente.



Esta memória é uma escolha excelente para quem procura melhorar o desempenho do seu portátil sem a necessidade de substituir todo o sistema. A combinação de alta capacidade, velocidade rápida e baixo consumo de energia torna-a uma solução eficiente e duradoura. Com uma latência CAS de 40, esta memória oferece um equilíbrio entre desempenho e eficiência.

Manutenção e Cuidados:

Certifique-se de que o computador está desligado antes de instalar ou remover a memória. Evite tocar nos contactos dourados da memória para evitar danos. Limpe regularmente o interior do portátil para evitar a acumulação de poeira, o que pode afetar o desempenho da memória.