SAMSUNG SSD 990 BASIC 1TB (MZ-V9V1T0BW) PCIE GEN 4.0 NVME 2.0 M.2 (2280) / 5 AÑOS
Samsung 990. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7150 MB/s, Velocidad de escritura: 6450 MB/s, Componente para: PC


- Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
- Factor de forma de disco SSD: M.2
- SSD: 1 TB
- Interfaz: PCI Express 4.0
- Tipo de memoria: V-NAND
- NVMe: Si
- Componente para: PC
- Encriptación de hardware: Si
- Velocidad de lectura: 7150 MB/s
- Velocidad de escritura: 6450 MB/s
- Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES, TCG Opal 2.0
- Lectura aleatoria (4KB): 700000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB): 1100000 IOPS
- Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
- Versión NVMe: 2.0
- Soporte S.M.A.R.T.: Si
- Soporte TRIM: Si
- Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
- Revisión PCI Express CEM: 4.0
- Función DevSleep: Si
- Ancho: 80,2 mm
- Profundidad: 2,38 mm
- Altura: 22,1 mm
- Consumo de energía (lectura): 4 W
- Consumo de energía (escritura): 3,7 W
- Consumo de energía (espera): 0,055 W
- Voltaje de operación: 3,3 V
- Consumo de potencia DevSlp (modo sueño): 3 mW
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
- Golpes en funcionamiento: 1500 G
- Tipo de embalaje: Caja